基本信息
| 标准名称： | 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 |
| 英文名称： | Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | |
| 替代情况： | 被GB/T 13388-2009代替 |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1992-02-19 |
| 实施日期： | 1992-10-01 |
| 首发日期： | 1992-02-19 |
| 作废日期： | 2010-06-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 北京有色金属研究总院 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：6， 字数：7000 |
适用范围
本标准规定了用Ｘ射线技术测量硅片参考面结晶学取向的方法。本标准适用于硅片参考面结晶学取向与参考面规定取向之间角度偏差的测量。硅片直径为50～125mm，参考面长度为10～50mm。本标准不适用于硅片规定取向在与参考面和硅片表面相垂直的平面内的投影与硅片表面法线之间夹角不小于3°的硅片的测量。
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法